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Shenzhen Deshengxing Electronics Co., Ltd.

Nuovi prodotti

Macchina semiautomatica per espandere wafer LED da 6 pollici e 8 pollici
Dotato di asta di supporto per azoto, funzione di risparmio di manodopera a conchiglia; Regolare l'altezza del piano di lavoro per alzarsi, è possibile regolare la spaziatura tra la DIE; Utilizzando il sollevamento del motore e il sollevamento del cilindro per completare il processo di espansione della membrana, per garantire la coerenza dell'espansione della membrana;
Macchina per attaccare la pellicola semiautomatica per montaggio su wafer da 12 pollici
Questa apparecchiatura (lamatore) viene utilizzata principalmente per il rivestimento con pellicola Si wafer BG da 12 pollici. Nessuna sbavatura, nessuna bolla. Il tipo di wafer è il wafer fittizio. Questa macchina per incollare pellicole semiautomatica è adatta per applicare pellicole su prodotti come wafer, semiconduttori, ceramica e vetro. Si tratta di un dispositivo utilizzato per la lavorazione del rivestimento di film, progettato specificamente per far aderire con precisione i materiali a film sottile alla superficie dei wafer. Combina le caratteristiche del funzionamento manuale e del controllo automatico, fornendo una maggiore precisione ed efficienza nell'applicazione della pellicola pur mantenendo la comodità operativa.
Macchina per spelatura del silicio con separatore manuale di film per wafer
Questa macchina per lo strappo della pellicola viene utilizzata per rimuovere il nastro protettivo sulla superficie dei wafer dopo i processi di assottigliamento o incisione. Il dispositivo può essere utilizzato per lo strappo di film su wafer da 4", 5", 6", 8" e 12".
Macchina per il montaggio di pellicole a semiconduttore con montatura per film con telaio wafer
Macchina per lo strappo manuale della pellicola, adatta per lo strappo di pellicole wafer SIC con bordo piatto piccolo da 6 pollici. Il corpo principale della macchina è realizzato in acciaio inossidabile e lega di alluminio, con prestazioni stabili e funzionamento semplice.
Macchina di espansione semiautomatica per espansore wafer a semiconduttore LED da 8 pollici
Espansore wafer standard da 8 pollici per chip semiconduttore LED, touch screen da 7 pollici, adottando un sistema di controllo PLC importato, dispositivo di bloccaggio automatico della copertura ribaltabile

Nichia . NCSU033B . 365nm .UV LED.

Nichia . NCSU033B . 365nm .UV LED. può essere usato per indagine criminale, come l'osservazione dell'impronta digitale, il sangue, ecc., MineraleOsservazione di fluorescenza, osservazione della pulizia dell'olio, e così on.

Modello numero. :
NCSU033B UV LED
Marca:
DSXUV
porto di spedizione :
SHENZHEN
Pagamento :
T/T
regione originale :
CHINA
Lead time :
The Same Day

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Dettagli sul prodotto

Nichia . NCSU033B . 365nm . UV LED. non solo può usare per Indagine criminale, ma può anche essere utilizzata per Conferma di pulizia sgrassatura, ad esempio,Industria alimentare, cucina, utensili da cucina, stoviglie.

Specifiche

(1) Valutazioni massime assolute

articolo	simbolo	Valutazione massima assoluta	unità
corrente diretta	io_F.	700 .	ma.
Corrente in avanti dell'impulso.	io_{FP .}	1000.	ma.
Corrente retromarcia consentita	io_r.	85.	ma.
dissipazione di potenza	P._d.	3.08 .	W.
temperatura di esercizio	T._{opr .}	-10 ~ 85	° C
temperatura di conservazione	T._{stg .}	-40 ~ 100	° C
temperatura di giunzione	T._J.	130.	° C

* Valutazioni massime assolute su TS = 25 ° C.

* I FP Condizioni con larghezza dell'impulso ≤10ms e ciclo di lavoro ≤10%.

(2) Iniziale Elettrico / ottico caratteristiche

articolo	simbolo	condizione	Typ . E.	max.	unità
tensione diretta	V._F.	io_F. = 500 mA	3.8 .	- .	V.
Flux radiante.	Φe .	io_F. = 500 mA	450 .	- .	MW .
lunghezza d'onda del picco.	λp .	io_F. = 500 mA	365 .	- .	nm.
Spectrum half width.	Δλ .	io_F. = 500 mA	9.0 .	- .	nm.
resistenza termica	r._{θJS .}	- .	4.4 .	7.3 .	° C / w

* Caratteristiche a T S = 25 ° C.

* Valore del flusso radiante come per Cie . 127: 2007 Standard.

* r θjs è la resistenza termica dalla giunzione a T s misurazione Punto.

* Si consiglia di utilizzare i LED a una corrente maggiore di 10% della corrente di ordinamento per stabilizzare il LED caratteristiche.

ranks.

articolo	rango	min.	max.	unità
tensione diretta	H.	4.0 .	4. . 4.	V.
	M.	3.6 .	4.0 .
	l.	3.2 .	3.6 .
Flux radiante.	P. 34. D22 .	592 .	640 .	MW .
	P. 34. D21 .	540 .	590 .
	P. 33. D22 .	495 .	540 .
	P. 33. D21 .	455 .	495 .
	P. 32. D22 .	415 .	455 .
	P. 32. D21 .	380 .	415 .
	P31 .	320 .	380 .
	P30 .	270 .	320 .
lunghezza d'onda del picco.	u. un	360 .	370 .	nm.

* Classifica a T S = 25 ° C.

* Tensione avanzata Tolleranza: ± 0,05V

* Flux radiante Tolleranza: ± 10%

* Lunghezza d'onda del picco Tolleranza: ± 3nm

* I LED dei ranghi sopra riportati saranno spediti.

Il rapporto combinazione di rango per La spedizione sarà decisa da Nichia.

Dimensioni del profilo

affidabilità

(1) test e risultati

test	riferimento standard	test Condizioni	test durata	fallimento criteri # .	unità Fallito / testato
resistenza a saldatura Calore (reflow saldatura)	Jeita . ED-4701 300 301	T SLD = 260 ° . C, 10SEC, 2Reflows, Precondizione: 30. ° .C, 70% RH, 168hr		# 1	0 / 10
shock termico	Jeita . ED-4701 100 105.	-40 . ° . C (30min) ~ 25 ° . C (5min) ~ 100. ° . C (30min) ~ 25 ° . C (5min)	100 ciccia .	# 1	0 / 10
alta temperatura Conservazione	Jeita . ED-4701 200 201	T A = 100 ° . C.	1000 ore .	# 1	0 / 10
bassa temperatura Conservazione	Jeita . ED-4701 200 202	T A = -40 ° . C.	1000 ore .	# 1	0 / 10
temperatura ambiente Vita operativa		T A = 25 ° .C, i f = 7. 00ma .	1000 ore .	# 1	0 / 10
alta temperatura Vita operativa		T A = 85 ° .C, i f = 3. 00ma .	1000 ore .	# 1	0 / 10
umidità della temperatura Vita operativa		60. ° . C, rh = 90%, io_F. = . 450 . ma.	500 ore .	# 1	0 / 10
bassa temperatura Vita operativa		T A = -10 ° .C, i f = 500. ma.	1000 ore .	# 1	0 / 10
vibrazione	Jeita . ED-4701 400 403	200m / s 2, 100 ~ 2000 ~ 100Hz, 4 cicli, 4min, ogni x, y, z	48 minuti .	# 1	0 / 10
scariche elettrostatiche	Jeita . ED-4701 300 304	HBM, 2KV, 1.5K Ω . , 100pf, 3pulses, alternativamente positivo o negativo		# 1	0 / 10

Note:

1) r θja ≈35 ° C / w

2) Le misurazioni vengono eseguite dopo aver permesso ai LED di tornare alla stanza Temperatura.

(2) Criteri di errore

Criteri #	elementi	Condizioni	Criteri di errore
# 1	Avanti Tensione (V _F. ) .	io_F. = . 5. 00ma .	> Iniziale Valore × 1.1
# 1	radiante flusso (φ _E. ) .	io_F. = . 5. 00ma .

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