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    Questa macchina per lo strappo della pellicola viene utilizzata per rimuovere il nastro protettivo sulla superficie dei wafer dopo i processi di assottigliamento o incisione. Il dispositivo può essere utilizzato per lo strappo di film su wafer da 4", 5", 6", 8" e 12".

Diodo fotoelettrico al silicio HAMAMATSU S1226-18BU TO-18

Diodo fotoelettrico al silicio HAMAMATSU S1226-18BU TO-18

HAMAMATSU Diodo luminoso al silicio S1226-18BU è fotodiodi Si incapsulati in un pacchetto TO-18 con una finestra di vetro UV.

  • Modello numero. :

    Si Photo-Diode S1226-18BU
  • Marca:

    DSXUV
  • porto di spedizione :

    Shenzhen
  • Pagamento :

    T/T 100% before shipment
  • regione originale :

    Japan
Dettagli sul prodotto

HAMAMATSU S1226-18BU e S1336-18BU sono fotodiodi Si incapsulati in un pacchetto TO-18 con una finestra di vetro UV. Questi fotodiodi hanno un'elevata sensibilità dalla gamma UV al vicino infrarosso e funzionano in modo affidabile quando rilevano radiazioni UV ad alta potenza (come dalle lampade al mercurio)


HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Photodiode


Caratteristiche di S1226-18BU Fotodiodo al silicio:

- Elevata sensibilità ai raggi UV dalla gamma UV al vicino infrarosso

- Pacchetto TO-18 con finestra in vetro UV

- Soppresso vicino alla sensibilità IR

- Bassa corrente di buio

- Elevata affidabilità rispetto alle radiazioni UV ad alta potenza


Applicazioni di HAMAMATSU Si Fotodiodi:

- Monitor lampada al mercurio (λ=254 nm)

- Monitor laser ad eccimeri (KrF: =248nm)

- Altro rilevamento UV


Specifiche di S1226-18BU fotodiodo sensibile ai raggi UV:

P Area fotosensibile

1,1*1,1 mm

N numero di elementi

1

P ackage

M etale

P ackage Categoria

A-18

C ooling

N su-raffreddato

R Tensione inversa (max.)

5V

S Intervallo di risposta pettorale

da 190 a 1000 nm

Tempo di salita (tip.)

0.15μs

P Fotosensibilità (tip.)

0,36 A/W

D arca Corrente (max.)

2 pA

P eak Sensibilità Lunghezza d'onda (tip.)

720nm

N oise Potenza equivalente (tip.)

1.6*10-15W/Hz 1/2

T Capacità erminale (tip.)

35 pF

M condizione di sicurezza

T a=25℃, tip., fotosensibilità:λ =720nm, Corrente di buio: VR=10mV, Capacità terminale: VR=0 V, f=10 kHz, se non diversamente specificato


HAMAMATSU S1226-18BU Si Photodiodes

HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Light Diode

HAMAMATSU S1226-18BU UV Sensitive Photodiode

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